Currículum del director/a del departament
Doctor en Ciències Físiques (1989)
Catedràtic d'Universitat (2002)
IEEE Fellow (2010)
Director del Departament d'Enginyeria Electrònica
Currículum Breu
Docència
Grau en Enginyeria Informàtica (Escola d'Enginyeria)
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació (Escola d’Enginyeria)
Grau en Física (Facultat de Ciències)
Grau Nanociència i Nanotecnologia (Facultat de Ciències)
Màster en Nanociència i Nanotecnoliga Avançades (Facultat de Ciències)
Programa de Doctorat en Enginyeria Electrònica i de Telecomunicació
Recerca
Durant la seva trajectòria ha treballat en cinc àmbits principals:
-
Ruptura dielèctrica i fiabilitat de tecnologies CMOS.
-
Modelat compacte de dispositius electrònics.
-
Transport electrònic quàntic i simulació Monte Carlo.
-
Simulació multi-escala de dispositius nanoelectrònics.
-
Dispositius memristors, memòries no volàtils i circuits neuromòrfics.
Ha participat i dirigit un total de més de 30 de projectes de recerca competitius,incloent 4 projectes Europeus. Ha gaudit convenis de recerca amb IBM Microelectronics durant 10 anys consecutius.
Va ser investigador a IMEC, Bèlgica (1989) i post-doc a la Università di Bologna, Italia (1990,1991). Ha estat membre del comité de programa tècnic de diverses conferències internacionals, incloent l’IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), l’International Reliability Physics Symposium (IRPS) i el Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS). Va ser el primer representant Espanyol al Scientific Community Forum of the European Nanoelectronics Initiative Advisory Council (ENIAC) technology platform. És editor associat de la revista Electronic Materials.
Ha publicat més de 450 treballs en revistes científiques i en conferències internacionals, entre les que es pot destacar 14 treballs a l´IEDM, cinc tutorials l’IRPS, així com nombrosos treballs convidats. Les seves publicaciones han rebut més de 9000 cites que resulten en un índex-h de 51 (Google Scholar).
Selecció de publicacions recents
J. Suñé, F. Aguirre, M. Bargalló González, F. Campabadal, and E. Miranda, Exploring Conductance Quantization Effects in Electroformed Filaments for Their Potential Application to a Resistance Standard, Advanced Quantum Technologies, 2300048 (2023)
E. Miranda, F.L. Aguirre, M. Saludes, M.B. Gonzalez, F. Campabadal, and J. Suñé, SPICE Simulation of Quantum Transport in Al2O3/HfO2-Based Antifuse Memory Cells, IEEE Electron Device Letters (early access, 2023). DOI: 10.1109/LED.2023.3273923
F. Aguirre, S. Pazos, F. Palumbo, J. Suñé, and E. Miranda, SPICE simulation of RRAM-based cross-point arrays using the dynamic memdiode model, Frontiers in Physics 9, 735021(2021)
M. Lanza, R. Waser, D. Ielmini, J.J. Yang, L. Goux, J. Suñé, A.J. Kenyon, ...,Standards for the characterization of endurance in resistive switching devices, ACS nano 15 (11), 17214-17231(2021).
E. Miranda and J. Suñé, Memristive state equation for bipolar resistive switching devices based on a dynamic balance model and its equivalent circuit representation, IEEE Transactions on Nanotechnology 19, 837-840 (2020)
Gestió universitària
-
Director del Departament d’Enginyeria Electrònica de la UAB (feb1996-jun2002)
-
Membre de la Junta de Govern de la UAB(Jun 1996- Sep1998)
-
Coordinador de la Titulació d’Enginyeria Electrònica (Jul2000-Sep2001)
-
Vice-director de l’escola d’Enginyeria per la titulació d’Enginyeria Electrònica (2003-2007)
-
Coordinador de la Titulació d’Enginyeria Electrònica (mar2007-Abr2011)
-
Director del Departament d’Enginyeria Electrònica de la UAB (Apr2011-Apr2015)
-
Membre de la Junta de Govern de la UAB (Abr2011-Abr2013)
-
Director del Departament d’Enginyeria Electrònica de la UAB (maig 2021à)
-
Membre de la Comissió de Personal Acadèmic de la UAB (maig2021-jun2023)
Premis i distincions
L'any 2004, va rebre la Distinció de la Generalitat de Catalunya per a la promoció de la recerca universitària (joves investigadors). El 2008 va ser guardonat amb l’IBM Faculty award, en reconeixement de la col.laboració amb IBM Microelectronics (Burlington, VT, USA) en el camp de la fiabilitat de tecnologies CMOS i pel desenvolupament de metodologies estadístiques. Va ser Distinguished lecturer of the Electron Devices Society de l’IEEE durant l’any 2009, i va rebre la distinció de IEEE Fellow el 2010. També el 2010 va ser guardonat amb el premi ICREA ACADEMIA per a una intensificació en recerca durant el període 2010-2015. Pel període 2012-2013, va rebre la Chinese Academy of Sciences Professorship for Senior International Scientists per a treballar a l’Institute of Microelectronics (IMECAS), Beijing, China.